硅多晶 发明专利 346 条       实用新型专利 16 条
序号 专利号 名称
1 02123086.2 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2 02137592.5 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
3 01132674.3 在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
4 01140819.7 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
5 00816776.1 多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
6 02139762.7 耐高温多晶碳化硅纤维的制备方法
7 02137784.7 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
8 02146376.X 利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
9 02159740.5 一种功率型多晶硅发射极晶体管
10 02152432.7 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
11 02151126.8 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
12 03114762.3 多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
13 01808503.2 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
14 01129599.6 N型掺杂多晶硅的制造方法
15 02125156.8 多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
16 02126851.7 降低多晶硅层洞缺陷的方法
17 02157198.8 多晶硅界定阶跃恢复器件
18 03101694.4 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
19 01810701.X 多晶硅棒及其加工方法
20 02102708.0 去除多晶硅残留的方法
21 02102709.9 去除多晶硅残留的方法
22 02104780.4 多晶硅间介电层的制造方法
23 02124913.X 低温多晶硅有机电激发光装置的制法
24 02120387.3 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
25 02146954.7 形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
26 02123180.X 低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
27 01815622.3 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
28 03109895.9 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
29 02155288.6 制作多晶硅薄膜的方法
30 01125091.7 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
31 02106426.1 多晶硅膜的制造方法
32 96111663.3 多晶硅表面金属杂质的清除
33 96110663.8 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
34 95121117.X 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
35 96117958.9 用多晶硅原料制备熔硅的方法
36 97103959.3 在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法
37 97109724.0 利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
38 95196596.4 引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开－多晶硅CMOS工艺
39 85100529 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
40 85103942 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
41 87100294 一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
42 87102505 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
43 89100864.0 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
44 93101559.6 具有多晶硅薄膜的半导体器件
45 95104684.5 利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
46 97190589.4 多晶硅棒及其制造方法
47 96196923.7 多晶硅电阻及其制造方法
48 98101933.1 具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
49 98106080.3 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
50 98117482.5 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
51 97122618.0 梯形多晶硅插塞及其制造方法
52 97197118.8 稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法
53 98105624.5 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
54 99101316.6 改进的多晶硅－硅化物
55 98102573.0 一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
56 97120443.8 增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
57 97120453.5 具有P^＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
58 96198989.0 多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
59 98118732.3 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
60 99124899.6 形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
61 99127057.6 三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
62 98810175.0 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
63 99107074.7 多晶硅二极管的静电放电保护装置
64 98122620.5 具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
65 98803292.9 利用放热反应制备多晶硅的方法
66 00120190.5 用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
67 01110906.8 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
68 00801552.X 单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
69 01116626.6 制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
70 99813247.0 多晶硅电阻器及其制造方法
71 01108131.7 多晶硅薄膜的制造方法
72 01120328.5 多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
73 01121891.6 多晶硅的评价方法
74 99815584.5 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
75 00126366.8 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
76 00804829.0 具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
77 00128798.2 多晶硅化钨栅极的制造方法
78 02112524.4 采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
79 01138535.9 横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
80 00135749.2 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
81 01140960.6 制备多晶硅颗粒的方法和装置
82 00810694.0 多晶硅化学气相沉积方法和装置
83 00811367.X 为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
84 02108099.2 评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
85 01801220.5 多晶硅、其生产方法及生产装置
86 02102090.6 用于评估多晶硅薄膜的装置
87 01110401.5 基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
88 01137905.7 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
89 01133118.6 液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
90 00815428.7 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
91 00815450.3 用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
92 02146581.9 多晶硅层的制作方法
93 01818537.1 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
94 03127506.0 采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
95 02141690.7 在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
96 03156160.8 制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
97 03155080.0 用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
98 03147935.9 形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
99 03132786.9 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
100 03158763.1 多晶硅的蚀刻方法
101 02157809.5 形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
102 02151448.8 多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
103 02149395.2 多晶硅层的制作方法
104 02150450.4 利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
105 02151447.X 多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
106 02150428.8 多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
107 02158617.9 一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
108 03101577.8 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
109 200410031320.X 多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
110 200410003656.5 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
111 03119145.2 内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
112 03105365.3 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
113 02814101.6 具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
114 02126452.X 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
115 01815870.6 玻璃衬底的预多晶硅被覆
116 03122982.4 低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
117 03122318.4 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
118 03109410.4 低温多晶硅薄膜的制造方法
119 03109485.6 低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
120 200310110056.4 制备多晶硅的方法
121 200310117094.2 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
122 200310115895.5 多晶硅的定向生长方法
123 200310117095.7 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
124 02816785.6 光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
125 03137831.5 将非晶硅转换为多晶硅的方法
126 03123932.3 具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
127 03123733.9 低温多晶硅薄膜电晶体的结构
128 03141245.9 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
129 03141252.1 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
130 200410021979.7 多晶硅氢还原炉
131 03142882.7 多晶硅薄膜的制造方法
132 03149089.1 薄膜晶体管的多晶硅制造方法
133 03142448.1 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
134 03145338.4 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
135 03147277.X 多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
136 03147491.8 具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
137 03143605.6 于基板上形成多晶硅层的方法
138 02820458.1 半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
139 03155811.9 形成多晶硅层的方法
140 02822314.4 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
141 02822606.2 用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
142 200410046199.8 具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
143 200410071242.6 包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
144 03143668.4 形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
145 200410038278.4 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
146 03153082.6 低温多晶硅平面显示面板
147 03152618.7 多晶硅层的结晶方法
148 03153211.X 多晶硅薄膜的制造方法
149 03149649.0 多晶硅薄膜的制造方法
150 03152295.5 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
151 200410005025.7 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
152 200410042335.6 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
153 200410069995.3 多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
154 200410058928.1 制造多晶硅层的方法
155 200410062489.1 提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
156 200410069751.5 半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
157 02823048.5 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
158 03150598.8 多晶硅层的处理方法
159 03155605.1 形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
160 200410010970.6 一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
161 200410010983.3 多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
162 03134816.5 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
163 200410078639.8 半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
164 200410083540.7 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
165 200310108057.5 在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
166 200310108060.7 利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
167 02826542.4 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
168 200410084917.0 制作低温多晶硅薄膜的方法
169 200410097453.7 制造多晶硅层的方法及其光罩
170 200410064831.1 一种制备多晶硅绒面的方法
171 200410087099.X 避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
172 200410087100.9 减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
173 200410100598.8 多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
174 200410088647.0 包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
175 200410102169.4 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
176 200410103815.9 多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
177 200410065842.1 测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
178 200410090133.9 超小粒径多晶硅的结构和方法
179 200310122594.5 三维多晶硅只读存储器及其制造方法
180 200510004161.9 光罩与应用其形成多晶硅层的方法
181 200310122634.6 集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
182 200310123443.1 低温多晶硅薄膜的制造方法
183 200410085784.9 多晶硅膜的形成方法
184 200410085785.3 多晶硅膜的形成方法
185 200410082255.3 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
186 200410085786.8 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
187 03804814.0 多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
188 02825279.9 利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
189 200510051959.9 具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
190 200310121274.8 半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
191 200510007961.6 制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
192 200410104972.1 无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
193 200410028649.0 形成多晶硅锗层的方法
194 200510051125.8 用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
195 200410039968.1 多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
196 200510063890.1 制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
197 200410026941.9 低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
198 200510002342.8 多晶硅薄膜的制造方法
199 200510002964.0 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
200 200510129672.3 减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
201 200510135886.1 由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
202 200510126605.6 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
203 200610065676.4 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
204 200510097011.7 一种多晶锗硅薄膜的制备方法
205 200510051939.1 多晶硅薄膜晶体管的制作方法
206 200510039283.1 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
207 200410027101.4 低温多晶硅显示装置及其制作方法
208 200410017895.6 一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
209 200410057296.7 多晶硅液晶显示器件的制造方法
210 200510076239.8 具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
211 02824656.X 具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
212 200410037914.1 以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
213 200510027270.2 电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
214 200510078600.0 多晶硅的生产装置
215 200410018463.7 形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
216 200410018450.X 利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
217 200410018452.9 利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
218 200410018455.2 形成T型多晶硅栅极的方法
219 200410047532.7 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
220 200410047533.1 15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
221 200410043289.1 应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
222 200410024614.X 化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
223 200510072898.4 形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
224 200510076488.7 具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法
225 200410025369.4 制造双层多晶硅存储器元件的方法
226 03825535.9 形成多晶硅结构
227 200510051955.0 在半导体装置中形成多晶硅层的方法
228 200510081929.2 制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
229 200410052675.7 制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
230 200410071618.3 低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
231 200510014464.9 低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
232 200410054469.X 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
233 200380106188.8 多晶硅细脉熔丝
234 200510016605.0 一种制备多晶硅的方法
235 200510060566.4 一种多晶锗硅薄膜的制备方法
236 200510060565.X 一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法
237 200410097028.8 制造内层多晶硅介电层的方法
238 200380101946.7 多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
239 200410054227.0 形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
240 200410073655.8 多晶硅薄膜晶体管制造方法
241 200410054376.7 改善栅极多晶硅层电阻值的方法
242 200510067253.1 多晶硅薄膜晶体管的形成方法
243 200410035815.X 彩色多晶硅微粒及其制备方法
244 200410085114.7 平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
245 200410066575.X 闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
246 200410011136.9 激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
247 200510120417.2 具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
248 200410083862.1 多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
249 200480008858.7 集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器
250 200410085851.7 用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
251 200410075872.0 形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
252 200510015747.5 浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
253 200410089240.X 多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
254 200510107337.3 带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
255 200510015748.X 溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
256 200510119309.3 低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
257 200480014798.X 硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
258 200510000163.0 薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
259 200610010654.8 一种制备太阳能级多晶硅的方法
260 200480016528.2 具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
261 200610009346.3 激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
262 200610006074.1 有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
263 200480023463.4 具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
264 200510059536.1 单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
265 200610035301.3 一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
266 200510126289.2 一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
267 200510126370.0 一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
268 200510126340.X 一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
269 200510126274.6 一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
270 200510126381.9 一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
271 200510126369.8 一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
272 200610081729.1 具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
273 200610075110.X 用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
274 200510025458.3 多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法
275 200510068006.3 一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
276 200480028359.4 精密多晶硅电阻器工艺
277 200610078524.8 用于沉积多晶硅的CVD装置
278 200510126458.2 一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
279 200510119279.6 多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
280 200510126276.5 一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
281 200510126275.0 一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
282 200510062883.X 降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
283 200480031172.X 双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
284 200610046525.4 一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
285 200510077714.3 一种生产多晶硅用的还原炉
286 200510079423.8 限定多晶硅图案的方法
287 200480035030.0 激光薄膜多晶硅退火光学系统
288 200480035031.5 激光薄膜多晶硅退火系统
289 200610043184.5 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
290 200610043185.X 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
291 200510080160.2 多晶硅的制造方法
292 200510027415.9 多晶硅栅极掺杂方法
293 200510116780.7 多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
294 200510082849.9 用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
295 200510080415.5 具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
296 200510080718.7 薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
297 200480040901.8 用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
298 200610000678.5 用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
299 200510087786.6 高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
300 200580003282.X "铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法"
301 200610103856.7 形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
302 200610151736.4 低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
303 200510098656.2 形成多晶硅薄膜的方法
304 200510098484.9 薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
305 200610117155.9 廉价多晶硅薄膜太阳电池
306 200610017755.8 P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
307 200610122132.7 一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
308 200610010599.2 采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
309 200580015605.7 双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
310 200580015098.7 利用双多晶硅的位线注入
311 200510116621.7 一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备
312 200510110069.0 用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
313 200610134108.5 一种锌还原法生产多晶硅的工艺
314 200610134107.0 一种太阳能级多晶硅的生产方法
315 200610064871.5 直接沉积多晶硅的方法
316 200510110230.4 高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
317 200610139874.0 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
318 200610022263.8 多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
319 200610022264.2 多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
320 200580018375.X 多晶硅板制备方法
321 200610121897.9 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
322 200610128002.4 单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
323 200610123789.5 择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
324 200510110687.5 多晶硅太阳能发电并网装置
325 200610121898.3 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
326 200610139877.4 使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
327 200580021278.6 低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
328 200610078728.1 叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
329 200510111175.0 一种在集成电路中使用α多晶硅的方法
330 200510111044.2 用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
331 200510126405.0 一种多晶硅存储元件及其制备方法
332 200510111430.1 多晶硅炉的喷嘴
333 200510131794.6 多晶硅薄膜的制作方法
334 200610166981.2 多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
335 200610166982.7 多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
336 200510111454.7 多晶硅太阳电池绒面的制备方法
337 200510135272.3 形成多晶硅薄膜的方法
338 200510132576.4 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
339 200610148517.0 具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
340 200610154949.2 一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
341 200610023162.2 利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法
342 200610130711.6 表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
343 200710000867.7 多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
344 200580027437.3 具有发射极多晶硅源/漏区的EEPROM单元的制造
345 200610001055.X 多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
346 200610013089.0 供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
1 95239084.1 多晶硅膜微压传感器
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