硅籽晶 发明专利 67 条 实用新型专利 5 条
序号 专利号 名称
1 01802486.6 加工性、时效性和上釉性出色的搪瓷用钢板及制造方法
2 02139447.4 人工晶体称重装置
3 01140772.7 "结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法"
4 01136694.X 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
5 02137196.2 基于A1材料的掺铜金属布线工艺
6 02111567.2 硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
7 01810286.7 用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置
8 01811405.9 用于提供单扫描、连续移动连续横向凝固的方法和系统
9 02159135.0 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
10 03109067.2 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
11 03136796.8 具有硅锗栅极的半导体器件及其制作方法
12 86105868 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
13 94100681.6 多层铁硅铝磁合金膜以及铁硅铝磁合金籽晶层
14 94105559.0 人造雪籽晶和制造人造雪的方法
15 98112814.9 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
16 99100967.3 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
17 99103122.9 制造半导体器件的方法
18 98118322.0 用于动态随机存取存储器的存储单元
19 98806334.4 SOI衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法
20 00105518.6 生产硅单晶的直拉区熔法
21 98807993.3 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
22 99801049.9 形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
23 00120255.3 用于制造其漏电电流密度降低的一个半导体结构的方法
24 00120254.5 制作包含与硅的金属氧化物界面的半导体结构的方法
25 00131662.1 与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法
26 01121978.5 半导体薄膜的制造方法和采用所述薄膜的磁电转换元件
27 00122075.6 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
28 99811961.X 氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法
29 01105256.2 块状碳化硅单晶生长的制备方法
30 00811809.4 铜电镀液、铜电镀用前处理液以及铜电镀方法
31 03142108.3 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法
32 02131185.4 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
33 02131184.6 直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法
34 200310120660.5 半导体器件及其制造方法
35 200310121549.8 双栅极场效应晶体管及其制造方法
36 02805268.4 生产硅绝缘体材料的方法
37 200310103424.2 一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法
38 200410001382.6 单晶硅膜的制造方法
39 200310108486.2 垂直温梯法生长掺四价铬硅酸镁晶体的方法
40 200310108610.5 硅酸钆闪烁晶体的生长方法
41 200310108771.4 硅酸钆单晶体的生长方法
42 200310110056.4 制备多晶硅的方法
43 200310117094.2 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
44 200310115895.5 多晶硅的定向生长方法
45 200310109454.4 一种去除铜籽晶表面氧化膜及增强铜层黏附力的前处理工艺
46 200410016475.6 掺铈硅酸镥钆亚微米成像透明荧光屏及其制备方法
47 200410053863.1 生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
48 200410084635.0 掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法
49 200510056200.X 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
50 200510025560.3 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法
51 200410099717.2 薄膜晶体管和其制造方法
52 200410075895.1 薄膜晶体管及其制造方法
53 200410075888.1 薄膜晶体管及其制造方法
54 200410095452.9 薄膜晶体管及其制造方法
55 200510015279.1 磁场直拉硅单晶的制备方法
56 200510120226.6 丘克拉斯基提拉器
57 200510120430.8 直拉法拉晶设备
58 200610050123.1 直拉式晶体生长炉自动控制方法及系统
59 200480029021.0 分离的多晶SiGe/多晶Si合金栅极堆叠
60 200480026416.5 在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长
61 200480032073.3 电容器结构、粗糙的含硅表面与形成粗糙的含硅表面的方法
62 200480036586.1 在双极-互补金属氧化物半导体工艺中减少籽晶层外形的方法
63 200610166982.7 多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
64 200610170121.6 半导体装置的制造方法
65 200610105330.2 单晶炉中籽晶与熔融硅液面接触的检测方法
66 200580032490.2 用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
67 200580042153.1 制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
1 02281654.2 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
2 03256323.X 大面积晶体的温梯法生长装置
3 200620102232.9 基于温度预测补偿的直拉式晶体生长炉
4 200620117810.6 区熔单晶硅炉
5 200620117811.0 软轴单晶硅炉

1  硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性　　 赵海峰 宋航... 发光学报-2003年3期